Forge Nano 的高生产率、核心工艺特别适用于具有挑战性的半导体应用，这些应用需要在面积增强结构上提供最高质量、极其保形的 ALD 薄膜。特别是高 K 电介质、金属-绝缘体-金属 (MIM) 薄膜叠层、用于沟槽隔离的超共形 SiO₂ 和用于芯片钝化的 ALD-Cap。

荷兰 VSParticle 公司基于纳米气溶胶技术，采用火花放电技术（Spark Ablation），可在大气压条件下制备多种纳米材料，并实现多种沉积。针对 In-situ TEM 研究，VSParticle 推出桌面式制样沉积解决方案，使用 VSP-G1 纳米粒子发生器配合扩散沉积技术，可在温和的室温条件下在芯片上一步沉积模型纳米粒子。

原文标题： ALD-CAP® Exceptional Barrier Performance

ALD-Cap® 是一种柔性陶瓷涂层，由于所使用的原子层沉积 (ALD) 薄膜具有无针孔和低应力的特性，因此具有出色的阻隔性能。ALD 一次沉积一层原子层。 这些薄膜本质上是均匀的、无针孔并且几乎 100% 与基材表面共形。

射频 (RF) 和电力电子对从电信和消费电子产品到运输和能源分配的一系列行业至关重要。 随着能源多样化和高速电子产品的普及，预计到 2027 年，射频和电力电子产品的全球市场规模将达到 366 亿美元。高温、紫外线辐射、氧气、盐度和湿度等极端环境 所有威胁都会降低和腐蚀有源组件，从而导致早期故障。 原子层沉积 (ALD) 显着提高了射频和电力电子设备的可靠性和性能。 使用 ALD 作为晶圆级的封装层或作为芯片/模块/PCB 级的最终气密密封已被证明可以显着提高电子性能和寿命。 ALD 层可实现更长的使用寿命、更高的性能和更低的成本，而无需增加与传统密封涂层相关的大量质量增益和高温处理。

原文标题： Using High Throughput Powder Atomic Layer Deposition to Improve Lithium Ion Battery Cathodes and Anodes 

储存和使用电池时，电池内部会发生不良反应，导致性能下降。 电池内部许多不良的反应，例如过渡金属溶解、锂库存损失和固体电解质界面 (SEI) 生长，可以通过表面涂层来减缓或钝化。 原子层沉积 (ALD) 工艺提供性能最佳、最精确、可重复、可扩展且具有成本效益的涂层工艺，以减少不需要的反应并提高电池的性能。 ALD 可应用于各种阴极和阳极粉末，以产生包括更长的循环寿命、更少的气体生成、更慢的阻抗增长和更高的电压利用率等好处。

金属 3D 打印在医疗、牙科、汽车、航空航天和国防工业中的应用呈指数级增长。 通过打印，可以轻松制作具有复杂设计和独特材料特性的定制组件用于各种应用。 随着对这些应用的需求持续增长，全球金属 3D 打印市场预计到 2027 年将达到约 60 亿美元。 尽管金属 3D 打印实现了许多新的应用，但该技术仍然存在原料粉末流动性差、打印过程中氧化的废金属粉末副产品、散装打印材料中的夹杂物和最终产品的热撕裂等问题。 用于 3D 打印的金属粉末原料上的原子层沉积 (ALD) 提供了多种改进。 粉末 ALD 可改善流动性、防潮/抗氧化性、烧结界面并减少夹杂物。