Lightning
TEM 原位热电样品杆

Lightning 原位热电样品杆对样品温度和电压都有极好地控制能力,可在 900℃ 环境下实现高于 300 kV/cm 的电场环境设置。

  • 选择理由
  • 产品特点
  • 纳米芯片
  • 样品杆
  • 规格参数
  • 应用领域
  • 用户体验
  • 下载中心
Three Reasons to Choose for Lightning
选择 Lightning 原位热电样品杆的原因

TEM 原位热电系统 Lightning 帮助研究人员在精准控制加电和加热环境的同时观察样品变化的实时动态过程。

Lightning 样品杆的 Nano-Chip 芯片采用四探针法,可准确控制电压和温度,同时获取有意义的数据。

Nano-Chip 芯片的独特设计可以单独或同时控制环境条件达到最高的电压和温度。

 

Reason 1
界内最高环境控制,原位环境刺激范围广

可以分别在高达 1300°C 的高温和 150V 的高压下进行实验,或者同时在 900°C 下提供 300kV/cm 的电场,是市场上高温高压的原位环境刺激达到最高值的唯一产品。

Reason 2
高温下具备高稳定性,样品漂移率小

独特的四电极加热法(四探针法),以及先进的技术和材料,高温高压环境下保持具有高可靠性和稳定性,即使温度达到 1000 °C( ΔT = 1000 °C),漂移率也小于 200 nm,样品稳定时间短,可以在长时间实验中保持高质量的成像。

Reason 3
全新的观测视角,原位下的高分辨率成像

进行热学研究的同时,在具有真正 pA 电流灵敏度的条件下测量 I-V。同时具有高达 60pm  的分辨率,可以获得清晰的原子图像,帮助研究人员更好地理解材料的结构与性质。

Product features
产品特点
超高温度均匀性,温度偏差小
Temperature uniformity

闭合的4点探针反馈回路在控制刺激和测量反应方面提供了较大的多功能性、准确性(≥95%)和温度均匀性(≥99.5%)。

四探针法可精准控制加热和加电
Accurate control of heating and power-up

可精准获得高达 1300°C 的温度和 900°C 时高于 300 kV/cm 的电场。检测 1 pA–100mA范围内的电流,并执行高达 100 Hz 的交流测量。

超高稳定性,原子级分辨率成像
Ultra-high stability

即使温度达到 1000 °C( ΔT = 1000 °C),漂移率也小 于 200 nm,样品稳定时间短,即使在高电压下也能达到原子级分辨率。

Nano-Chip 四探针法设计

闭合的 4 点探针反馈回路在控制刺激和测量反应方面提供了较大的多功能性、准确性(≥95%)和均匀性(≥99.5%)。

获得高达 1300°C 的温度和 900°C 时高于 300 kV/cm 的电场。检测 1 pA–100mA 范围内的电流,并执行高达 100 Hz 的交流测量。

900℃ 环境下,电场可达 300 kV/cm
独特 SiNx 窗口,兼容样品种类多

采用独特的SiNx窗口设计,可以很容易将样品薄片或纳米线放置在细长的窗口中,或者选择SiNx窗口来支撑纳米颗粒。

独特的 SiNx 窗口设计
多样芯片配置,可轻松升级

可根据您的实验需求提供不同的配置。从专用偏压或加热芯片以及同时偏压+加热中选择。支持后续的使用过程中进行配置升级,实现实验的多样化设计

加热或加电,或同时加热加电
Lightning
Sample Holder
样品杆

模块化设计 稳定 可靠

双倾范围大
与小极靴间隙兼容
高稳定性


此款原位样品杆是将 Nano-Chip 芯片与电子显微镜连接起来的关键元件,它使研究人员能够在加热环境中测量皮安级别的电流和施加高达 150 伏的电压。 双倾斜样品杆由钛制成,具有非常好的机械稳定性,为原位实验研究人员提供了广泛的应用空间。

Product Specification
产品规格参数
  JEOL Thermo Fisher Scientific
加热和加电控制 四探针法 四探针法
接触点数量 8 6
温度范围 RT - 1,300 °C RT - 1,300 °C
膜击穿电压 ≥ 150 V at RT/900 °C ≥ 150 V at RT/900 °C
可达到的电场范围 ≥ 300 kV/cm at RT/900 °C ≥ 300 kV/cm at RT/900 °C
可检测的电流范围 1 pA to 100 mA 1 pA to 100 mA
AC 测量 Up to 100 Hz Up to 100 Hz
极靴兼容性 All

Bio-TWIN, C-TWIN, TWIN

X-TWIN, S-TWIN

Alpha 角倾转范围

URP, FHP ≥ ± 8 deg

HRP, WGP ≥ ± 20 deg

≥ ± 22 deg
Beta 角倾转范围

URP, FHP ≥ ± 15 deg

HRP, WGP ≥ ± 25 deg

≥ ± 25 deg
可达到的分辨率 ≤ 60 pm ≤ 60 pm
漂移率 ≤ 0.5 nm/min ≤ 0.5 nm/min
温度准确率 ≥ 95 % ≥ 95 %
温度均匀性 ≥ 99.5 % ≥ 99.5 %

 

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Typical Applications
应用领域
  • 半导体纳米器件
  • 相变
  • ReRam和功能氧化物
  • 固态电池
Testimonials
用户体验
  • “在实验操作中,TEM 观察提供了一个独特的机会来观察电学性能和结构变化之间的相关性。 DENSsolutions 样品杆的出色稳定性使其能够进行原位 TEM 实验的同时以原子级别分辨率成像。最近,我们成功地在 TEM 内观察到电阻开关和有机-无机金属卤化物钙钛矿太阳能电池器件在电刺激下的结构变化”

    Martial Duchamp博士 新加坡南洋理工大学
  • “坦率地说,DENSsolutions Lighting 系统支持在高温下施加高电场并同时进行高分辨率成像的实验令人印象深刻!这位为材料研究的前沿开辟了新的方向。”

    Leopoldo Molina-Luna博士 达姆施塔特工业大学
  • “DENSsolutions 对原位 TEM 的持续改进为一系列纳米级动态过程研究提供了令人兴奋且不断改进的技术支持。特别是 Lightning 系统允许我们通过磁跃迁的同时以极高的稳定性加热 FeRh 系统,同时还支持应用电脉冲,以便我们可以通过无与伦比的控制来驱动和可视化磁畴壁运动。”

    Trevor Almeida博士 格拉斯哥大学
  • “在实验操作中,TEM 观察提供了一个独特的机会来观察电学性能和结构变化之间的相关性。 DENSsolutions 样品杆的出色稳定性使其能够进行原位 TEM 实验的同时以原子级别分辨率成像。最近,我们成功地在 TEM 内观察到电阻开关和有机-无机金属卤化物钙钛矿太阳能电池器件在电刺激下的结构变化”

    Martial Duchamp博士 新加坡南洋理工大学
  • “坦率地说,DENSsolutions Lighting 系统支持在高温下施加高电场并同时进行高分辨率成像的实验令人印象深刻!这位为材料研究的前沿开辟了新的方向。”

    Leopoldo Molina-Luna博士 达姆施塔特工业大学
  • “DENSsolutions 对原位 TEM 的持续改进为一系列纳米级动态过程研究提供了令人兴奋且不断改进的技术支持。特别是 Lightning 系统允许我们通过磁跃迁的同时以极高的稳定性加热 FeRh 系统,同时还支持应用电脉冲,以便我们可以通过无与伦比的控制来驱动和可视化磁畴壁运动。”

    Trevor Almeida博士 格拉斯哥大学
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