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随着技术的发展和不断创新，电子设备的功能不断增强，体积不断缩小，对电子设备的制造技术也提出了更高要求。电子设备作为一个组装好的装置，内部的电子元器件往往难以直接观察或检测。
显微 CT 技术能够以非破坏性的方式，利用 X 射线透射成像，穿透电子设备的外部壳体，获取其内部的高分辨率三维图像。
VSParticle 公司提出了一种基于等离子体火花放电的气溶胶技术，可以生产出具有出色的表面积与体积比、高纯度和可调节厚度的高质量纳米多孔传感涂层。
失效分析是对于电子元件失效原因进行诊断，在进行失效分析的过程中，往往需要借助仪器设备，以及化学类手段进行分析，以确认失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出改善预防措施。其方法可以分为有损分析，无损分析，物理分析，化学分析等。其中在进行微观形貌检测的时候，尤其是需要观察断面或者内部结构时，需要用到离子研磨仪+扫描电镜结合法，来进行失效分析研究。
Forge Nano 的高生产率、核心工艺特别适用于具有挑战性的半导体应用，这些应用需要在面积增强结构上提供最高质量、极其保形的 ALD 薄膜。特别是高 K 电介质、金属-绝缘体-金属 (MIM) 薄膜叠层、用于沟槽隔离的超共形 SiO2 和用于芯片钝化的 ALD-Cap。
射频 (RF) 和电力电子对从电信和消费电子产品到运输和能源分配的一系列行业至关重要。 随着能源多样化和高速电子产品的普及，预计到 2027 年，射频和电力电子产品的全球市场规模将达到 366 亿美元。高温、紫外线辐射、氧气、盐度和湿度等极端环境 所有威胁都会降低和腐蚀有源组件，从而导致早期故障。 原子层沉积 (ALD) 显着提高了射频和电力电子设备的可靠性和性能。 使用 ALD 作为晶圆级的封装层或作为芯片/模块/PCB 级的最终气密密封已被证明可以显着提高电子性能和寿命。 ALD 层可实现更长的使用寿命、更高的性能和更低的成本，而无需增加与传统密封涂层相关的大量质量增益和高温处理。
尽管 OLED 和 microLED 技术有望实现增长，但它们都存在技术缺陷。由于湿气/氧气渗透，OLED 的寿命较短，而 MicroLED 因间距尺寸减小导致侧壁钝化不良和像素效率低而难以扩大生产。 原子层沉积 (ALD) 可以通过沉积无缺陷薄膜以提供气密封装和侧壁钝化以提高寿命来改进 OLED 和 microLED 技术。
原文标题：In Situ TEM Characterization of Electrical Properties of Semiconductor Nanowires
通过原位透射电子显微镜研究了锥形InAs纳米线(NWs)的电学性能，同时使用良好的欧姆接触进行I-V测量，从而排除了高电阻率接触引起的焦耳加热等实验干扰因素。
