支持无掩膜图形化沉积
未反应前驱体可回收再利用
可扩展至大面积基底及卷对卷(Roll-to-Roll)工艺
沉积速度比传统 ALD 快约 100 倍
| 总体指标 | |
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适用基材类型 |
平面及多孔基板,包括硅片、玻璃、金属和聚合物薄膜 |
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沉积工艺 |
空间原子层沉积(Spatial ALD, S-ALD) |
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沉积温度(热式 S-ALD) |
50 ℃ – 250 ℃ |
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沉积温度(等离子体增强 S-ALD) |
50 ℃ – 200 ℃ |
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前驱体配置 |
标准配置最多可连接 4 个前驱体 |
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共反应物 |
H₂O(标准配置) |
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可选等离子体气体 |
O₃、H₂、O₂(可按需求提供其他前驱体和共反应物) |
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基材装载方式 |
手动操作,通过两个前厅(一个小型、一个大型) |
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免费样品区最大尺寸 |
420 mm × 300 mm |
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系统整体尺寸 |
4.0 m(宽) × 3.6 m(深) × 2.1 m(高) |

空间原子层沉积(ALD)可用于电解槽和燃料电池的电极、多孔传输层(PTL)、气体扩散层(GDL)和膜的涂覆。例如,在具有高比表面积的载体上涂覆薄催化剂层(如氧化铱和铂),可在最大限度提高电化学性能和稳定性的同时,将贵金属负载量降低10-50倍。其他用途包括在电极上涂覆防腐蚀层,以提高其稳定性和使用寿命。

空间原子层沉积(ALD)技术可用于在电池电极上涂覆超薄且均匀的材料层,从而提高可充电电池的能量密度、充电速度、安全性和使用寿命。这些涂层的厚度可以从几个原子层到几纳米不等。此外,固态电池和3D电池等新型电池概念也将受益于ALD涂层技术。使用SparkNano的LiF涂层技术可有效提升电池200%的循环使用寿命. 可用的沉积方式包括 AlOx / Nboxide / LIF 等。

空间原子层沉积可用于在c-Si太阳能电池中沉积钝化层,在各种薄膜太阳能电池中沉积封装层,以及在钙钛矿串联电池中沉积界面层,所有这些目的都是为了提高太阳能电池的效率或延长其寿命。 可沉积的物质例如有AlOx/SnO2/ZnO

空间原子层沉积(ALD)技术以其能够沉积致密、保形且无针孔的薄膜而闻名。因此,空间ALD被广泛应用于各种光电子器件,例如OLED器件的封装层、MicroLED器件的侧壁钝化层、薄膜晶体管的高迁移率氧化物半导体以及AR/VR设备波导中的光学层。
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