| 传统ALD技术 VS 空间ALD技术 | ||
| 项目 | 传统 ALD(Traditional ALD) | 空间 ALD(Spatial ALD,Our solution) |
| 技术特点 | 可实现高质量三维薄膜,适用于多孔基底 | 结合空间分离与专有等离子体增强沉积技术 |
| 沉积质量 | 膜层质量高、均匀性好 | 膜层质量高,同时兼顾高速沉积 |
| 沉积速度 | 沉积速率受限 | 沉积速度比传统 ALD 快约 100 倍 |
| 处理面积/规模 | 可处理基底尺寸有限 | 可扩展至大面积基底及卷对卷(Roll-to-Roll)工艺 |
| 反应腔壁沉积 | 存在腔壁沉积 | 无反应腔壁沉积 |
| 前驱体利用率 | 前驱体利用率较低 | 未反应前驱体可回收再利用 |
| 图形化能力 | 需掩膜或后处理 | 支持无掩膜图形化沉积 |
| 前驱体效率 | 较低 | 前驱体利用效率极高 |
| 总体指标 | |
| 设备定位 | 面向新兴能源技术设计,用于在金属或聚合物基材上实现精确、均匀、可扩展的薄膜沉积 |
|
核心工艺 |
空间原子层沉积(Spatial ALD, S-ALD) |
| 技术原理优势 | 通过基板移动与空间分离的气体反应区实现沉积(直观可见),无需泵送和吹扫循环 |
| 沉积效率 | 沉积速度比传统时间序列 ALD 快 100 倍以上 |
| 运行特性 | 支持高效、可持续、连续化运行 |
| 适用领域 |
新能源器件制造、功能薄膜连续涂覆、工业化卷对卷生产 |
| 幅宽 | 0.3-1.5m(可定制) |
| 卷速 | 最高100m/min |

空间原子层沉积(ALD)可用于电解槽和燃料电池的电极、多孔传输层(PTL)、气体扩散层(GDL)和膜的涂覆。例如,在具有高比表面积的载体上涂覆薄催化剂层(如氧化铱和铂),可在最大限度提高电化学性能和稳定性的同时,将贵金属负载量降低10-50倍。其他用途包括在电极上涂覆防腐蚀层,以提高其稳定性和使用寿命。

空间原子层沉积(ALD)技术可用于在电池电极上涂覆超薄且均匀的材料层,从而提高可充电电池的能量密度、充电速度、安全性和使用寿命。这些涂层的厚度可以从几个原子层到几纳米不等。此外,固态电池和3D电池等新型电池概念也将受益于ALD涂层技术。使用SparkNano的LiF涂层技术可有效提升电池200%的循环使用寿命。可用的沉积方式包括 AlOx / Nboxide / LIF 等。
新型电池需要极薄的保护涂层来防止电极劣化,从而避免电池循环寿命的快速缩短。由于这些电极通常具有高度多孔性,原子层沉积(ALD)是制备这些保护膜的最佳方法之一 。ALD技术能够沉积保形且精确的涂层,有利于提升电池中多孔阳极和阴极的性能和耐久性。无论是增加电化学反应的表面积、提供保护层,还是改善多孔结构内的离子传输,空间ALD都为优化电池内部组件提供了一种多功能工具。

空间原子层沉积可用于在c-Si太阳能电池中沉积钝化层,在各种薄膜太阳能电池中沉积封装层,以及在钙钛矿串联电池中沉积界面层,所有这些目的都是为了提高太阳能电池的效率或延长其寿命。 可沉积的物质例如有AlOx/SnO2/ZnO。
由于钙钛矿太阳能电池具有高效率和潜在的低制造成本,因此有望成为光伏能源发电的未来;无论是单结、异质结,还是与 c-Si 或其他薄膜吸收体串联配置。空间原子层沉积(ALD)技术在钙钛矿太阳能电池中应用越来越广泛,以提高效率和延长寿命。例如,空穴和电子传输层(如SnO2、TiO2、ZnO和NiO)、超薄Al2O3钝化层和封装层等。

空间原子层沉积(ALD)技术以其能够沉积致密、保形且无针孔的薄膜而闻名。因此,空间ALD被广泛应用于各种光电子器件,例如OLED器件的封装层、MicroLED器件的侧壁钝化层、薄膜晶体管的高迁移率氧化物半导体以及AR/VR设备波导中的光学层。
OLED 在三维结构上进行层沉积 现有技术尚无法在复杂的三维结构上沉积封装层。 等离子体增强空间原子层沉积技术可在低温下于三维结构上沉积均匀层。
AR/VR 显示器 高折射率层 当前挑战在于如何在AR/VR眼镜和波导中实现无损耗的光耦合。 空间原子层沉积 (ALD) 可提供具有优异 3D 共形沉积和图案化的高折射率薄膜
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