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用户成果｜《Nature Communications》：800°C 原位加热 4D-STEM 揭示二维半导体一维通道电场分布
作者：复纳科技
产品： Wildfire
关键词：原位加热杆，TEM，TEM 原位实验，DENSsolution
日期：2025-08-22
二维过渡金属硫化物（TMDs，如 MoS₂、WS₂）因其原子级厚度、可调控带隙及优异的电学性能，被广泛视为后摩尔时代纳电子器件的理想沟道材料。然而，天然或工艺诱导的点缺陷、线缺陷会显著改变其局域电荷分布与电子能带结构，进而产生局域导电通道或局域绝缘势垒。
传统高角环形暗场扫描透射电子显微镜（HAADF-STEM）与相位重构技术虽然能够解析原子排布，但对局域电荷密度与静电场的定量刻画能力不足。因此，如何在单原子灵敏度下，同时成像缺陷区域的原子结构、静电场与电荷密度，成为理解缺陷-性能关联的核心瓶颈。本文作者借助 DENSsolutions Wildfire 加热杆，在800℃高温条件下，利用 4D-STEM 绘制二维半导体中一维通道的原子级静电场图。
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