当“原子制造”一词被提起，仍会将其与半导体平面工艺紧密关联——那些在硅片上精准堆叠的纳米薄膜、为芯片性能赋能的原子级沟槽结构，似乎定义了原子制造的边界。然而，在材料科学的多维世界中，一场更广阔的革命正在发生：粉体原子层沉积技术（PALD），以颠覆性的方式将原子级精度从平面拓展至三维粉体，为能源、化工、医药乃至航空航天领域开辟全新可能。

在原子级制造的浪潮中，粉体表面原子层沉积技术（PALD）因其精准的纳米级涂层控制能力，成为能源、化工、电子及先进材料领域的核心技术。然而，如何实现批量化、高一致性的粉体原子级包覆，一直是行业亟待突破的难题。在“双碳”目标驱动下，新能源、高端制造与绿色化工领域对材料性能的极限要求日益迫切——锂电材料需要更稳定的界面以延长寿命，催化剂追求更高的活性与抗烧结性，含能材料亟需致密钝化层以保障安全……传统包覆技术因均匀性差、厚度不可控等问题，已难以满足这些需求。

Forge Nano 凭借全球领先的粉体 ALD 技术，以创新技术直击痛点，为原子制造专项任务提供标杆级解决方案。

• 三维包裹，无死角均匀性：通过流化床、振动床等技术，使粉末颗粒在反应器中充分分散，前驱体分子可渗透至颗粒间隙甚至多孔结构内部，实现 360° 原子级包覆，彻底解决传统包覆技术的“阴影效应”。

   

• 自限制反应，厚度精准可控：与平面 ALD 相同，粉体 ALD 通过自限制性半反应逐层生长，即使面对纳米级凹凸表面，也能确保每层沉积厚度精确至亚纳米级（<1nm），避免液相包覆的“岛状生长”或气相沉积的“过厚堆积”。

   

• 材料普适性，赋能全域场景：从锂电正极材料、金属催化剂到药物颗粒，粉体 ALD 可兼容氧化物、氮化物、有机物等多种涂层，且工艺温度范围广（常温至 400℃），满足热敏感与高温材料的双重需求。

   

• 大批量包覆，让工艺放大成为可能：真正困扰工业界的是如何将实验室量级扩展到工业应用，这需要从前端开发时就有匹配量级的设备及配方工艺。而粉体 ALD 设备有效解决了常规平面 ALD设备无法解决的放大问题。

粉体 ALD 技术的崛起，标志着原子制造从平面走向立体、从微电子迈向全域材料的范式变革。Forge Nano 凭借十余年技术积淀，以粉体 ALD 系统为核心，构建从研发到量产的完整生态，助力客户抢占新能源、高端制造与生物医药的制高点。

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【1】房丰洲,赖敏,王金石,等.制造发展的三个范式:制造发展规律的研究[J].中国科学基金, 2024, 38(1):159-171.

【2】工业和信息化部办公厅. 关于组织开展2025年未来产业创新任务揭榜挂帅工作的通知[EB/OL]. (2025-01-14)[2025-03-10]. https://www.miit.gov.cn/gyhxxhb/jgsj/gxjss/wjfb/art/2025/art_587709ccf5354eb192886d410fbe33dd.html.