Related products
相关产品
原位TEM对半导体纳米线电学性质的表征研究
作者：DENSsolutions
行业：电子半导体
产品： Lightning
关键词：Lightning, 原位热电实验，半导体纳米线
日期：2023-04-10
通过原位透射电子显微镜研究了锥形InAs纳米线(NWs)的电学性能，同时使用良好的欧姆接触进行I-V测量，从而排除了高电阻率接触引起的焦耳加热等实验干扰因素。在低电压下，直径大于120 nm的InAs NWs电阻率是恒定的(~ 10−2 Ω·cm)。当电流增大时，靠近阴极侧发生纳米线击穿，其主要变化是In的电迁移和As的升华。在大多数情况下，击穿临界电流密度接近106 A·cm−2。据此，作者提出了击穿过程的焦耳加热电迁移机制。
更多应用详情请查看文末附件。
Reserved information
预留信息
如果您想要了解更多产品信息，请填写以下信息下载产品手册, 我们收到您的信息后将第一时间回复您。
Friendly Link:
备案号： 沪ICP备12015467号-6 Copyright © ( 2023) 复纳科技有限公司